DTA123JU3T106详细参数_参考价格_DTA123JU3T106 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	- 100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	- 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PDTA143TU,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:28273
DDTC124XUA-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K 47K	1:¥1.8419 10:¥1.243 100:¥0.52206 1,000:¥0.35369 3,000:¥0.27685	参考库存:5875
MMUN2114LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP	1:¥0.92208 10:¥0.80682 100:¥0.28476 1,000:¥0.1921 3,000:¥0.14577	参考库存:151097
VT6J1T2CR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET	1:¥3.2996 10:¥2.1018 100:¥0.90626 1,000:¥0.69947 8,000:¥0.46895 24,000:查看	参考库存:128924
IRG7PH35UDPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A	1:¥57.9351 10:¥52.3303 25:¥49.8669 100:¥43.3355	参考库存:3116