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晶体管
STB6NK60Z-1参考图片

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STB6NK60Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A
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库存:46,345(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥7.6162
7616.2
2,000
¥7.0964
14192.8
5,000
¥6.8252
34126
10,000
¥6.5653
65653
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
8.95 mm
长度
10 mm
系列
STB6NK60Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STB6NK60Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:3111
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:49908
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:4830
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3102
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
3,000:¥6.441
6,000:查看
参考库存:3674
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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