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产品分类

晶体管
SIA923EDJ-T4-GE3参考图片

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SIA923EDJ-T4-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:20,797(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥3.9776
39.776
100
¥3.0171
301.71
500
¥2.486
1243
3,000
¥1.808
5424
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
7.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SIA923EDJ-T4-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
参考库存:19388
晶体管
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
1:¥16.2155
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
3,000:¥7.4806
6,000:查看
参考库存:19395
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:181637
晶体管
MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:250534
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
5,000:¥4.3957
10,000:查看
参考库存:29401
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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