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晶体管
BSC018N04LSGXT参考图片

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BSC018N04LSGXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
5,000
¥4.7799
23899.5
10,000
¥4.5991
45991
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
90 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
BSC018N04LS BSC018N04LSGATMA1 G SP000388293
商品其它信息
优势价格,BSC018N04LSGXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:40852
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.42262
45,000:¥0.3616
参考库存:40857
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:40862
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 225A 1700V
1:¥1,148.4529
5:¥1,125.932
10:¥1,073.4548
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参考库存:9200
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 11A 3PIN
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
1,000:¥12.2153
2,000:查看
参考库存:40869
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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