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晶体管
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2N5684G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50A 80V 300W PNP
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数量单价合计
1
¥115.1018
115.1018
10
¥105.881
1058.81
20
¥101.5079
2030.158
100
¥89.3604
8936.04
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
50 A
增益带宽产品fT
2 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5684
高度
8.51 mm (Max)
长度
38.86 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
50 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
14.288 g
商品其它信息
优势价格,2N5684G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:53824
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
1:¥676.192
5:¥663.7394
10:¥633.8509
25:¥612.7199
参考库存:1306
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:12793
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥76.84
10:¥69.4611
25:¥66.2406
100:¥57.4718
参考库存:46735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥168.822
5:¥161.2058
10:¥156.2112
25:¥143.5326
参考库存:2155
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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