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晶体管
FGA50N100BNTD2参考图片

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FGA50N100BNTD2

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库存:4,430(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.1613
62.1613
10
¥56.1723
561.723
25
¥53.562
1339.05
100
¥46.4882
4648.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA50N100BNTD2
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50N100BNTD2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 LESHANBE SS BR XSTR
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:31300
晶体管
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.9212
10:¥4.7912
100:¥3.6273
500:¥2.9945
3,000:¥2.1696
6,000:查看
参考库存:33432
晶体管
MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-23-6
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:20669
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A CHOPPER
1:¥625.5567
5:¥614.1098
10:¥586.4474
25:¥566.921
参考库存:3746
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.232
800:¥5.7065
参考库存:7478
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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