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晶体管
IPB80P04P4L-08参考图片

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IPB80P04P4L-08

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:28,473(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.6842
11.6842
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.6727
767.27
500
¥6.78
3390
1,000
¥5.3562
5356.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPB80P04P4L08ATMA1 IPB8P4P4L8XT SP000840208
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P04P4L-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:45146
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥3.6725
4,000:¥3.3561
10,000:¥3.2657
参考库存:45151
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
2,000:¥5.4014
4,000:¥5.198
10,000:¥4.9946
参考库存:45156
晶体管
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
10,000:¥1.2656
参考库存:45161
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
1:¥70.1504
10:¥63.167
25:¥57.5509
100:¥51.9461
1,000:¥37.8776
2,000:查看
参考库存:45166
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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