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晶体管
IRFSL7430PBF参考图片

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IRFSL7430PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
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库存：5,632(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
426 A
Rds On-漏源导通电阻
970 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
460 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
SP001557608
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，IRFSL7430PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF10N50FT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET UniFET 500V 10A
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.8422
500:¥6.8591
参考库存:6102
DMNH6042SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2,500:¥2.2148
参考库存:23682
AGR09130EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB
1:¥963.4154
5:¥884.0442
10:¥793.373
25:¥702.7018
参考库存:23687
BCV26,235
Nexperia
晶体管
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:51189
IRL530STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 15 Amp
800:¥7.232
参考库存:23694

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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