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晶体管
AUIRFN8458TR参考图片

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AUIRFN8458TR

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
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库存:21,686(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.9837
129.837
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
1,000
¥7.5258
7525.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
6 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
56 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
零件号别名
SP001522712
商品其它信息
优势价格,AUIRFN8458TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6159
参考库存:30323
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥33.6514
10:¥30.0467
25:¥27.0522
50:¥26.3516
参考库存:2905
晶体管
MOSFET 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:61152
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:112584
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
3,000:¥0.49155
参考库存:10061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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