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晶体管
CSD18509Q5B参考图片

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CSD18509Q5B

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:112,584(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.2999
4649.95
2,500
¥7.2207
18051.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18509Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
134.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD18509Q5B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VCES 40V PNP CHIPFET
1:¥5.0737
10:¥4.1923
100:¥2.7007
1,000:¥2.1696
3,000:¥1.8306
参考库存:27786
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:27791
晶体管
MOSFET 1.8x1.6mm PMCP Power MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.7064
100:¥3.2544
500:¥2.9154
7,000:¥1.5142
21,000:查看
参考库存:27796
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6049
参考库存:20298
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥47.0306
10:¥42.488
25:¥40.4992
100:¥35.1882
参考库存:12500
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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