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产品分类

晶体管
TK35N65W5,S1F参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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TK35N65W5,S1F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
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库存:2,092(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.5512
63.5512
10
¥57.1667
571.667
25
¥52.093
1302.325
100
¥47.0306
4703.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
115 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK35N65W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK35N65W5,S1F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥14.1363
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
1,000:¥6.9721
4,000:¥6.2489
参考库存:21908
晶体管
MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥20.6677
10:¥17.1308
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:14265
晶体管
IGBT 晶体管 40A 650V MONOLITHIC RC IG
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
参考库存:8852
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:12984
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:7001
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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