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晶体管
CSD17559Q5参考图片

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CSD17559Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:38,903(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.4469
5723.45
2,500
¥8.8366
22091.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17559Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
235 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
125 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17559Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:16629
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.39211
20,000:¥0.36838
50,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:24134
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
参考库存:24139
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24144
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥259.7983
5:¥246.8146
10:¥240.2832
25:¥220.8359
50:¥211.536
参考库存:2131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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