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晶体管
STGD3HF60HDT4参考图片

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STGD3HF60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.5 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3HF60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,STGD3HF60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NCH 4V Power MOSFET
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
3,000:¥1.09836
参考库存:1160
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7798
1,000:¥2.2261
3,000:¥1.8871
参考库存:57372
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW
1:¥15.368
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:11569
晶体管
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
1:¥12.2944
10:¥10.2152
100:¥7.91
500:¥6.9382
1,000:¥5.7517
3,000:¥5.7517
参考库存:217466
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:16378
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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