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晶体管
SCT3022ALGC11参考图片

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SCT3022ALGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
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数量单价合计
1
¥323.1913
323.1913
5
¥315.9706
1579.853
10
¥313.123
3131.23
25
¥310.2754
7756.885
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247N-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
93 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 4 V, 22 V
Qg-栅极电荷
133 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
339 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
SCT3x
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
12.2 S
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
53 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SCT3022AL
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SCT3022ALGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STI13NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:11224
TSM60N750CH
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
5,625:¥4.8138
11,250:¥4.7121
参考库存:51177
2N6547
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥336.0959
250:¥307.134
参考库存:51182
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:51187
2N3584
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥243.8088
250:¥227.5255
参考库存:51192

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    50万现货SKU

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