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晶体管
STP21N65M5参考图片

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STP21N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5
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库存:7,144(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.6462
42.6462
10
¥36.273
362.73
100
¥31.4253
3142.53
250
¥29.8094
7452.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP21N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP21N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
7,500:¥1.2317
参考库存:83887
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥7.0851
4,500:¥6.8252
9,000:¥6.554
参考库存:45421
晶体管
MOSFET PFET XLLGA3 20V
8,000:¥1.4577
24,000:¥1.3786
48,000:¥1.3447
参考库存:2686729
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
500:¥197.0946
参考库存:45428
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:111736
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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