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晶体管

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BSM35GP120

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数量单价合计
1
¥1,011.5195
1011.5195
5
¥991.6202
4958.101
10
¥945.358
9453.58
25
¥925.5378
23138.445
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GP120BOSA1 SP000100381
单位重量
180 g
商品其它信息
优势价格,BSM35GP120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:332097
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -150mA -50V
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:查看
3,000:¥0.44522
参考库存:2804
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.3843
参考库存:7321
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.7632
10:¥8.0682
100:¥6.1924
500:¥5.3223
1,000:¥4.2036
3,000:¥4.2036
参考库存:92363
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:267645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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