BCR 135W H6327详细参数_参考价格_BCR 135W H6327 PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
系列	BCR135
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	50 V
商标	Infineon Technologies
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	BCR135WH6327XT BCR135WH6327XTSA1 SP000756252
单位重量	60 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N6280	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥551.4852	参考库存:37905
RM5N800LD-T	Rectron	晶体管	PDF数据手册	MOSFET D-PAK MOSFET	2,500:¥5.6613 5,000:¥5.1754 10,000:¥4.7234	参考库存:37910
STF23NM50N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR	1:¥34.0356 10:¥28.8941 100:¥25.0521 250:¥23.7413	参考库存:9450
2N4391UB	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET	100:¥202.2474 250:¥185.8737 500:¥171.195	参考库存:37917
STH260N6F6-6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package	1:¥33.7305 10:¥28.6568 100:¥24.8148 250:¥23.5944 1,000:¥17.8314 2,000:查看	参考库存:9457