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晶体管
STF12N65M2参考图片

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STF12N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.831
98.31
100
¥7.91
791
500
¥6.8817
3440.85
1,000
¥5.6952
5695.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
16.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF12N65M2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STF12N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:7471
晶体管
达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
2,000:¥2.2487
参考库存:11123
晶体管
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
3,000:¥4.2375
参考库存:11910
晶体管
MOSFET 900V N-Channel QFET
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
参考库存:6207
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.616
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.77631
参考库存:29509
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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