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晶体管
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FMB3946

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN & PNP Transistor General Purpose
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数量单价合计
1
¥3.4578
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¥1.1413
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1,000
¥0.87575
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3,000
¥0.7458
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMB3946
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.2 A
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
36 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKB30N65EH5ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i
1:¥29.5043
10:¥25.0521
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:9845
DMN6068SE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
4,000:¥1.4577
参考库存:29177
VS-CPV364M4FPBF
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 15 Amp
1:¥374.0526
5:¥364.1425
10:¥350.0062
25:¥323.6546
参考库存:5649
PSMN017-30EL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK
1:¥6.9947
10:¥5.9438
100:¥4.5652
500:¥4.0341
参考库存:29851
ZVN3320FTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Chnl 200V
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:193228

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