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晶体管
DMC3026LSD-13参考图片

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DMC3026LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
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库存:13,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.582
3955
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6.5 A, 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6 nC, 10.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMC3026
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.3 ns, 40.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns, 17.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.3 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns, 9.7 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMC3026LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥17.8314
10:¥14.8256
100:¥11.526
参考库存:2958
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2044
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥11.9893
参考库存:23865
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
1:¥29.1992
10:¥24.8148
100:¥21.5152
250:¥20.4417
参考库存:16662
晶体管
MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
1:¥7.9891
10:¥7.006
100:¥5.4014
500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
参考库存:14904
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥41.4145
10:¥35.1882
100:¥30.51
250:¥28.9732
1,000:¥21.8994
2,000:查看
参考库存:11066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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