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晶体管
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BSS806NEH6327XTSA1

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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.62263
1867.89
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS806
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
零件号别名
BSS806NE H6327 SP000999336
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS806NEH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGS4062D1TRR
Infineon / IR
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暂无价格
参考库存:39939
JANTXV2N3019/TR
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100:¥193.795
250:¥177.8846
500:¥169.274
参考库存:39944
ALD910024SALI
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晶体管
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50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:39949
JANTXV2N4449/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥177.8055
250:¥163.1268
500:¥155.2959
参考库存:39954
RN2117MFV(TPL3)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:39959

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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