BSS169H6327XT详细参数_参考价格_BSS169H6327XT PDF资料_Infineon Technologies

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PG-SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	90 mA
Rds On-漏源导通电阻	6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.9 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	2.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	360 mW
配置	Single
通道模式	Depletion
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	2.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS169
晶体管类型	1 N-Channel
类型	SIPMOS Small Signal Transistor
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	0.1 S
下降时间	27 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.7 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	2.9 ns
零件号别名	BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 SP000702572
单位重量	8 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ZXTN4004KQTC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V	2,500:¥1.5594	参考库存:43343
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