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晶体管
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SPD08P06PGXT

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库存：14,932(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.8082
58.082
100
¥3.7516
375.16
1,000
¥3.0058
3005.8
2,500
¥2.5312
6328
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.83 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G SP000450534 SPD08P06P SPD08P06PGBTMA1
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SPD08P06PGXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ALD310704PCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36826
JAN2N6059
Microsemi
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥504.9179
5:¥483.7078
10:¥475.1763
25:¥445.5138
参考库存:36831
ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥45.2565
100:¥43.1095
250:¥37.7307
500:¥36.6572
参考库存:36836
JAN2N4239
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥364.764
250:¥340.4012
参考库存:36841
JAN2N2222A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥41.0303
10:¥36.5781
25:¥32.9621
100:¥30.0467
参考库存:36846

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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