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晶体管
STU11N65M2参考图片

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STU11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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库存:25,952(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh II Plus
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU11N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.1365
10:¥15.4471
100:¥12.2944
500:¥10.7576
2,500:¥8.2942
5,000:查看
参考库存:13606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6839
10:¥4.7573
100:¥3.0736
700:¥2.4634
参考库存:22293
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
2,500:¥5.3675
5,000:查看
参考库存:13660
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:4442
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥12.5204
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:13539
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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