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晶体管
STP7N52K3参考图片

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STP7N52K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 525 V 6.3 A PAK D
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库存:7,307(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1416
714.16
500
¥6.3167
3158.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
525 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
商标名
MDmesh
系列
STP7N52K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP7N52K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:28273
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K 47K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:5875
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥0.92208
10:¥0.80682
100:¥0.28476
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:151097
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Pch+Pch MOSFET
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:128924
晶体管
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:3116
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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