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晶体管
IGW40N65H5参考图片

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IGW40N65H5

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
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数量单价合计
1
¥28.2048
28.2048
10
¥23.9786
239.786
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.6733
4918.325
500
¥17.6732
8836.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW40N65H5FKSA1 SP001001742
单位重量
6.054 g
商品其它信息
优势价格,IGW40N65H5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,000:¥5.2658
2,000:¥5.2658
参考库存:103414
晶体管
MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET
1:¥4.3844
10:¥3.4352
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.08367
参考库存:32271
晶体管
MOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
4,000:¥1.6724
参考库存:129638
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP Low Sat
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:141160
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
1:¥7.8422
10:¥6.8365
100:¥4.9607
500:¥4.0002
1,000:¥3.2318
3,000:¥3.2318
参考库存:139187
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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