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晶体管
SIDR638DP-T1-GE3参考图片

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SIDR638DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
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数量单价合计
1
¥16.0573
16.0573
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.0626
4531.3
3,000
¥6.9608
20882.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
147 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
70 ns
商品其它信息
优势价格，SIDR638DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMPH4023SK3Q-13
Diodes Inc. / Pericom
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3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.60681
参考库存:46609
SIHU5N50D-E3
Vishay / Siliconix
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3,000:¥3.8081
6,000:¥3.616
9,000:¥3.4804
24,000:¥3.3787
参考库存:46614
2N6433
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
2,000:¥12.9837
4,000:¥12.4526
参考库存:46619

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