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晶体管
TPN4R303NL,L1Q参考图片

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TPN4R303NL,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET U-MOSVIII-H 30V 63A 6.8nC MOSFET
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数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
5,000
¥2.7685
13842.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
63 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14.8 nC
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN4R303NL
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
商品其它信息
优势价格，TPN4R303NL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V Dual Complementary
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:181132
APT22F80B
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥87.5976
10:¥78.8401
25:¥71.7663
50:¥66.8508
参考库存:1544
BSP230,135
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:30656
ZVP2110GTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Chnl 100V
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:14368
DMP1555UFA-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
1:¥2.7685
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:53490

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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