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晶体管
STGB30H60DLFB参考图片

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STGB30H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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库存:7,146(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
6418.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DLFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGB30H60DLFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥30.736
10:¥25.4363
100:¥20.9728
250:¥20.2835
3,000:¥20.2835
参考库存:37418
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.0572
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,000:¥6.102
4,000:查看
参考库存:15605
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
4,800:¥4.7573
9,600:查看
参考库存:98577
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:12424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:17066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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