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晶体管
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BSS306N H6327

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.4521
24.521
100
¥1.13
113
1,000
¥0.86784
867.84
3,000
¥0.73789
2213.67
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS306
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
BSS306NH6327XTSA1 BSS36NH6327XT SP000928940
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BSS306N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847CT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥3.616
10:¥2.3052
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:37148
RJH60F5BDPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:37153
2PS13512E43W35222NOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥38,286.8408
参考库存:37158
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:37163
2N5001
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥931.3799
2:¥913.0852
5:¥882.6656
10:¥870.5181
参考库存:37168

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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