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晶体管
IPP111N15N3 G参考图片

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IPP111N15N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:5,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.1993
31.1993
10
¥26.5098
265.098
100
¥22.9729
2297.29
250
¥21.8203
5455.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP111N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET RECOMMENDED ALT 781-SST204-TR
1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥2.6781
6,000:查看
参考库存:16707
晶体管
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC
1:¥16.9839
10:¥14.4414
100:¥11.526
500:¥10.1474
参考库存:8769
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.6838
10:¥3.6612
25:¥3.0849
100:¥2.7685
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:14001
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC123YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:53648
晶体管
MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:8265
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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