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晶体管
SIHG80N60EF-GE3参考图片

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SIHG80N60EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
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库存:5,093(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥119.7913
119.7913
10
¥108.8868
1088.868
25
¥100.7395
2518.4875
50
¥95.2816
4764.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
400 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
EF
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
168 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
144 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
272 ns
典型接通延迟时间
59 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG80N60EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 40V NPN
1:¥2.9945
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:47282
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.1471
10:¥3.39
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
4,000:¥1.3673
参考库存:18694
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
参考库存:10451
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.05316
100:¥0.37629
1,000:¥0.24634
3,000:¥0.1921
参考库存:175963
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V 100mA HFE/450
1:¥1.695
10:¥1.09836
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
2,000:¥0.24634
参考库存:51330
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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