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晶体管
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TSM4N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 800V 4A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
4,000
¥7.3902
29560.8
5,000
¥7.119
35595
10,000
¥6.9721
69721
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
ITO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7.1 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
146 ns
典型接通延迟时间
49 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TSM4N80CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW30N65ES5XKSA1
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1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:4513
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1:¥3.1527
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:30482
DMP2123LQ-7
Diodes Incorporated
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1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:16349
MG06600WB-BN4MM
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IGBT 模块 600V 600A Dual
1:¥1,157.8206
参考库存:2781

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    50万现货SKU

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