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晶体管
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FQP6N80C

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库存:6,266(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP6N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.4 S
下降时间
44 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
FQP6N80C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP6N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:27454
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
99,000:¥0.25312
参考库存:27459
晶体管
MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.5029
参考库存:27464
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
10,000:¥0.26103
20,000:¥0.24634
50,000:¥0.23052
100,000:¥0.20001
参考库存:27469
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PIMN31/SC-74/REEL 13" Q1/T1 *S
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:27474
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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