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FQP4N20L

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1
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6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.6217
462.17
500
¥4.0906
2045.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.35 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP4N20L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
FQP4N20L_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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暂无价格
参考库存:39138

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