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晶体管
NDS355N参考图片

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NDS355N

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库存:2,814(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1245
41.245
100
¥2.5086
250.86
1,000
¥1.9436
1943.6
3,000
¥1.6611
4983.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.12 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NDS355N
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
NDS355N_NL
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,NDS355N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 9 A 52 V N-CHANNEL DIE
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:24914
晶体管
达林顿晶体管 Darl Trans Arrays
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:24919
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:17421
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
10,000:¥0.44522
20,000:¥0.41471
参考库存:24926
晶体管
MOSFET FDG6335N
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:12428
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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