RN1963FE(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1963FE(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1963
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRL1404PBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 93.3nC	1:¥18.3625 10:¥15.594 100:¥12.4526 500:¥10.9158	参考库存:16168
MUN5315DW1T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP	1:¥2.147 10:¥1.4577 100:¥0.61472 1,000:¥0.41471 3,000:¥0.32996	参考库存:90070
STD7N90K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package	1:¥18.5998 10:¥15.8313 100:¥12.6786 500:¥11.0627 2,500:¥8.5315 5,000:查看	参考库存:13842
DTB113ZCHZGT116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-23 1kO Input Resist	1:¥1.7628 10:¥1.1752 100:¥0.49155 1,000:¥0.33787 3,000:¥0.26103	参考库存:31009
IPB180N03S4L-01	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2	1:¥19.3682 10:¥16.4415 100:¥13.1419 500:¥11.526 1,000:¥9.5259	参考库存:2711