RN1963FE(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1963FE(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
系列	RN1963
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
商标	Toshiba
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NSBA123JDXV6T5G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP	1:¥3.1527 10:¥2.0453 100:¥0.87575 1,000:¥0.67574 8,000:¥0.45313 24,000:查看	参考库存:84274
SIS892ADN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥8.2942 10:¥6.8591 100:¥5.2658 500:¥4.5313 3,000:¥4.5313	参考库存:28101
FDN86265P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET	1:¥6.6105 10:¥5.4805 100:¥3.5369 1,000:¥2.825 3,000:¥2.3843	参考库存:21828
SIHG180N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC	1:¥28.9732 10:¥24.0464 100:¥19.7524 250:¥19.1309 500:¥17.2099	参考库存:6905
IAUS200N08S5N023ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor	1:¥33.6514 10:¥28.589 100:¥24.8148 250:¥23.5153	参考库存:13282