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晶体管
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FQP8N80C

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库存：10,436(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥16.1364
161.364
100
¥12.9046
1290.46
500
¥11.30
5650
1,000
¥9.379
9379
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
1.55 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
178 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP8N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
FQP8N80C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP8N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1201S-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
700:¥1.9323
2,100:¥1.6498
参考库存:6339
SSM6N57NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:6546
FQPF5P20
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:2958
DRA2114E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:30860
TTC5200(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
1:¥21.2101
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:2822

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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