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产品分类

晶体管
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2N3734

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
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数量单价合计
1
¥69.0769
69.0769
10
¥68.5458
685.458
25
¥62.3986
1559.965
100
¥56.3192
5631.92
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3734
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 1 A, 1.5 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 1 A, 1.5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N3734 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N3734的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.3053
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暂无价格
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MOSFET MOSFET
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
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1:¥45.7989
10:¥38.9624
100:¥33.7305
250:¥32.0468
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MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.5259
500:¥8.3733
参考库存:21570
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    50万现货SKU

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