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产品分类

晶体管
A3T18H455W23SR6参考图片

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A3T18H455W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:50,683(价格仅供参考)
数量单价合计
150
¥873.7499
131062.485
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.7 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935354975128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
优势价格,A3T18H455W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V 14a 0.120 Ohm
1:¥7.6049
10:¥6.4749
100:¥4.972
500:¥4.3844
1,000:¥3.4691
2,500:¥3.4691
参考库存:18418
晶体管
MOSFET 100V P-CH MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,500:¥2.0001
参考库存:103145
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥1,034.3455
5:¥1,014.062
10:¥966.7263
25:¥946.4428
参考库存:3212
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.1755
100:¥5.5144
500:¥4.8703
1,000:¥3.8533
2,500:¥3.8533
参考库存:13994
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
参考库存:13976
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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