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晶体管
SQM120P10_10M1LGE3参考图片

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SQM120P10_10M1LGE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
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库存：15,395(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.5042
27.5042
10
¥24.5888
245.888
100
¥20.0575
2005.75
250
¥18.3625
4590.625
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
8.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
60 S
下降时间
200 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM120P10_10M1LGE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN10H170SK3Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
2,500:¥2.0453
参考库存:26774
RN1118(T5L,F,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
1:¥1.921
10:¥1.2091
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:26779
DMPH4015SPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
2,500:¥4.0341
参考库存:26784
NTMFS4935NCT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 3 S08FL, 30V NCH M
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
1,500:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:26789
2PC4081Q,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.16159
100,000:¥0.13786
参考库存:26794

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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