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晶体管
IPB180N03S4L-01参考图片

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IPB180N03S4L-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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库存:2,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.4415
164.415
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.05 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
187 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPB180N03S4L01ATMA1 IPB18N3S4L1XT SP000555002
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180N03S4L-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMPB215ENEA/F/SOT1220/REEL 7
3,000:¥1.05994
9,000:¥0.99101
24,000:¥0.9379
45,000:¥0.91417
99,000:¥0.88366
参考库存:27700
晶体管
MOSFET Auto FET 30V 18A 4.8Ohm 17nC
1:¥21.2892
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
4,800:¥10.2943
参考库存:27705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥5.3788
10:¥4.4748
100:¥2.8815
1,000:¥2.3052
3,000:¥2.3052
参考库存:22302
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms
1:¥14.8256
10:¥12.5995
100:¥10.0683
500:¥8.8366
3,000:¥6.7913
6,000:查看
参考库存:22304
晶体管
MOSFET Low Side IntelliFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.9493
参考库存:19806
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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