DTC123JET1G详细参数_参考价格_DTC123JET1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.047
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-75-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTC123JE
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2.510 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFR 460L3 E6327	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA	1:¥2.9945 10:¥2.3391 100:¥1.2656 1,000:¥0.95259 15,000:¥0.70738 45,000:查看	参考库存:377981
CSD13385F5	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 12V N-CHANNEL FEMTOFET	1:¥3.9211 10:¥2.9945 100:¥1.6272 1,000:¥1.2204 3,000:¥1.05316	参考库存:73738
IPP039N04L G	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3	1:¥8.9157 10:¥7.6727 100:¥5.8986 500:¥5.198 1,000:¥4.1132	参考库存:17480
IPB180N04S4L01ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 30/40V	1:¥19.436 10:¥16.5206 100:¥13.221 500:¥11.526 1,000:¥9.5259	参考库存:7832
ZTX653STZ	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line	1:¥6.5314 10:¥5.4805 100:¥3.5369 1,000:¥2.825	参考库存:32784