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晶体管
BSS123NH6327XT参考图片

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BSS123NH6327XT

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库存:21,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.8758
18.758
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.46895
1406.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
2.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
900 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
410 mS
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS123NH6327XT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥30.736
10:¥25.4363
100:¥20.9728
250:¥20.2835
3,000:¥20.2835
参考库存:37418
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥14.0572
10:¥11.30
100:¥9.0626
500:¥7.91
2,000:¥6.102
4,000:查看
参考库存:15605
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
4,800:¥4.7573
9,600:查看
参考库存:98577
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:12424
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:17066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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