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晶体管
STF11NM80参考图片

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STF11NM80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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库存:7,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.7253
42.7253
10
¥36.3408
363.408
100
¥31.5044
3150.44
250
¥29.8885
7472.125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
STF11NM80
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
46 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
2.040 g
商品其它信息
优势价格,STF11NM80的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR120TRL
1:¥9.831
10:¥8.0682
100:¥6.1698
500:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:28963
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP Darl 20V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:7820
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1:¥6,915.826
参考库存:28970
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1:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.2882
参考库存:14062
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.9154
10:¥1.9775
100:¥0.82942
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.44522
参考库存:65974
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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