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晶体管
IPB083N10N3GATMA1参考图片

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IPB083N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPB083N10N3 IPB83N1N3GXT SP000458812
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB083N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington 400Vc 400Vcev 200Vceo 60W
1:¥16.1364
10:¥14.3736
100:¥11.4469
500:¥10.0683
参考库存:8261
晶体管
MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
1:¥174.2686
5:¥172.4267
10:¥160.7538
25:¥153.5218
800:¥108.3444
参考库存:6898
晶体管
IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
1:¥54.1722
10:¥48.9516
25:¥46.7142
100:¥40.4992
参考库存:6870
晶体管
MOSFET PCH4.5V DRIVE SERIES
1:¥7.3789
10:¥6.2489
100:¥4.8025
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:17742
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:6249
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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