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晶体管
IPB083N10N3GATMA1参考图片

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IPB083N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
45 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPB083N10N3 IPB83N1N3GXT SP000458812
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB083N10N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.150 Ohm 19.5 A Fdmesh II
1:¥62.1613
10:¥56.2514
25:¥53.6298
100:¥46.5673
3,000:¥34.0356
参考库存:39479
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
5,000:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:39484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1,000:¥10.5316
2,000:¥9.831
5,000:¥9.0626
参考库存:39489
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:39494
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:39499
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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