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晶体管
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FQB33N10TM

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库存:10,206(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.0738
707.38
500
¥6.2489
3124.45
800
¥4.9381
3950.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB33N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
195 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FQB33N10TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.7575
1,000:¥7.2546
参考库存:10124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:10341
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
20,000:¥0.17628
40,000:查看
参考库存:98923
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥14.5996
500:¥12.8368
800:¥10.5994
参考库存:22830
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.3 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥28.4308
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:9662
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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