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DF300R12KE3

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数量单价合计
1
¥920.2381
920.2381
5
¥902.1016
4510.508
10
¥860.0656
8600.656
25
¥842.0873
21052.1825
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1470 W
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
DF300R12KE3HOSA1 SP000100742
商品其它信息
优势价格，DF300R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN2024UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.76049
20,000:¥0.69947
50,000:¥0.66896
100,000:¥0.64523
参考库存:44766
STN1NK60ZL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥3.9211
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
参考库存:6524
NVMFS5C468NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.0001
10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8532
50,000:¥1.8193
参考库存:44773
STD22NF06AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.1809
10,000:¥2.1018
25,000:¥2.0227
参考库存:44778
VN3515L-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:44783

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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