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晶体管
NGTB45N60S1WG参考图片

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NGTB45N60S1WG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FSII 45A 600V Welding
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库存:6,865(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.2046
24.2046
10
¥20.5208
205.208
100
¥17.8314
1783.14
250
¥16.9048
4226.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
45 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,NGTB45N60S1WG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥74.1506
10:¥66.6926
25:¥60.7827
50:¥56.6356
参考库存:28500
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
参考库存:10097
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.9097
参考库存:18099
晶体管
MOSFET
1:¥78.6028
5:¥74.6139
10:¥71.8454
25:¥68.9978
参考库存:8551
晶体管
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
5,000:¥8.5315
10,000:查看
参考库存:28511
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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