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晶体管
DMN62D0U-13参考图片

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DMN62D0U-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5933
15.933
100
¥0.66896
66.896
1,000
¥0.45313
453.13
10,000
¥0.30736
3073.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
380 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN62D0U
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 mS
下降时间
12.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.6 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，DMN62D0U-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C450NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.4069
参考库存:47915
MPS6518
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 625mW 1.5W 100mA
2,500:¥4.8138
参考库存:47920
FF600R12ME4CB11BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,887.7328
5:¥1,842.3181
10:¥1,796.5192
25:¥1,771.388
参考库存:47925
BUK7Y12-40EX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 12 mo FET
1,500:¥1.7628
9,000:¥1.695
24,000:¥1.6272
49,500:¥1.5933
参考库存:47930
DCX69-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:47935

  • 海量现货

    50万现货SKU

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